稀土锰氧化物低场磁电阻效应*

2019年8月22日· 顾名思义,磁电阻效应(magnetoresistance,MR)是指 体系的电阻(率)因外加磁场而出现变化.一般定义MR =[1D(O)一lD(日)],lD(O),lD为样品的电阻率,日为外加磁 ·196 · 场强度,正磁电阻时MR为负,而负磁电阻时MR为正. 这一效应自然可以用来探测磁场或者利用磁场来实现 体系电子输运行为的控制,其现实意义不言自明.我们...

解析物理学的磁阻现象

2020年3月19日· 磁阻效应是指物质在一定磁场下,电阻发生改变的现象。 通常,物质的电阻率在磁场中仅仅只能产生轻微的变化。 如果在某种条件下,电阻率减小的幅度非常大,

磁性物理学(一)

少数含有偶数个电子的化合物:O2、有机物中的双自由基 (3)铁磁性(Ferromagnetism) 特征: ... 特征:内部磁结构与反铁磁性相同,但相反排列的磁矩大小不等量。故亚铁磁性具有宏观磁性(未抵消的反铁磁性结构的铁磁性)。

准一维层状反铁磁材料CrZr 4 Te 14 的负磁阻效应研究取得进展

2022年7月1日· 负磁阻材料在磁场中的电阻会下降,这一反常特性使其在现代磁传感器、电磁保护和自旋场效应晶体管中具有独特应用。 近年来,科学家在二维层状材料中发现了一些负磁阻效应,例如,FeNbTe 2 晶体中出现本征的负磁阻效应(nMR=-1%)是自旋玻璃

磁阻效应 - 维基百科,自由的百科全方位书

概览知乎

为什么存在负磁阻就是铁磁材料?

负磁阻效应在很多非磁体系也很常见。 铁磁材料中的负磁阻来源于磁场对电子-局域自旋散射的抑制;其他效应如,弱局域化,current jetting,quantum limit origin,chiral

磁电阻材料

磁电阻材料是具有显著磁电阻效应(即磁性材料在受到外加磁场作用时引起的电阻变化)的特种磁性材料。已获得应用的主要有镍铁系和镍钴系磁性合金,其特点是不论磁场与电流的方向平行还是垂直都会产生磁电阻效应(前者称纵场效应,后者称横场效应),且低温磁电阻率(磁场引起的电阻变化与未加

Co0.525Fe0.475MnP化合物的室温磁热效应和磁电阻效应

在35 K再次出现的电阻率极小值,可归因于由Fe替代Co引起的自旋无序所导致的金属-绝缘体转变。在5 T磁场中磁电阻率的最高大值对应温度为200 K时的-2.5%,在反铁磁温度以上磁电阻率迅速减小。这表明,这种化合物的磁电阻效应源于外磁场对反铁磁有序的

绝缘铁磁半导体中因跃迁产生的庞负磁电阻效应

2022年11月15日· 他们在这项工作中,系统研究低温下与饱和磁矩共存的庞负磁电阻效应(colossal negative magnetoresistance)。通过分析特定磁场下电阻率的温度变化性,他

一文读懂磁滞回曲线

1. 饱和磁场强度Hm 在磁性材料磁化过程中,使其感应强度B达到饱和值Bm的磁场强度称为饱和磁场强度Hm。 磁材在充磁时应彻底面磁化,即充磁磁场强度H应达到Hm值,才能得到最高大可能磁化的退磁曲线。 这样的退磁曲线最高稳定,能够展现出材料的最高优磁性能。 若充磁磁场强度H低于Hm值,则将有不同形状的磁滞曲线,其退磁曲线会不稳定,磁铁表现出的磁性

绝缘铁磁半导体中因跃迁产生的庞负磁电阻效应

2022年11月15日· 铁磁性半导体 (Ga,Mn) (As,P)可以在保持铁磁性质的同时,呈现出金属-绝缘体过渡的状态,使研究者可以研究在铁磁状态下的金属-绝缘体转变现象,为探索高温磁性半导体材料提供新的视角。. 这也会加深对铁磁半导体中铁磁机制的认识,加速探索新的性能

巨磁阻效应

现象 物质在一定磁场下电阻改变的现象,称为"磁阻效应",磁性金属和合金材料一般都有这种磁电阻现象,通常情况下,物质的电阻率在磁场中仅产生轻微的减小;在某种条件下,电阻率减小的幅度相当大,比通常磁性金属与合金材料的磁电阻值约高10余倍,称为"巨磁阻效应"(GMR);而在很强

[安徽日报]二维纳米材料实现最高高负磁电阻效应-中国科大新闻

2014年10月21日 [安徽日报]二维纳米材料实现最高高负磁电阻效应 日前,中科大谢毅院士团队、吴长征特任教授课题组与曾晓成教授及中科院强磁场中心研究组合作,通过阴离子固溶技术实现目前二维纳米材料中最高高的负磁电阻效应,该现象的发现有可能推动二维材料在自旋电子器件领域的进展。 成果发表在最高新一期物理学顶级水平期刊《物理评论快报》上。...

[安徽日报]二维纳米材料实现最高高负磁电阻效应-中国科大新闻

2014年10月21日. [安徽日报]二维纳米材料实现最高高负磁电阻效应. 日前,中科大谢毅院士团队、吴长征特任教授课题组与曾晓成教授及中科院强磁场中心研究组合作,通过阴离子固

稀土锰氧化物低场磁电阻效应*

2019年8月22日· 状。讨论低场磁电阻效应的理论模型和增强低场磁电阻效应的方法. 低场磁电阻效应 顾名思义,磁电阻效应(magnetoresistance,MR)是指 体系的电阻(率)因外加磁场而出现变化.一般定义MR = [1D(O)一lD(日)],lD(O),lD为样品的电阻率,日为外加磁 · 196 ·

时间反演对称破缺-磁性Weyl半金属实验实现

而拓扑相关的贝利曲率可以产生强烈的内禀反常霍尔效应(及反常能斯特别有效应),成为拓扑材料中除磁电量子振荡、拓扑表面态费米弧、手性异常负磁电阻等基本拓扑行为之外的重要物性。而磁有序与拓扑的相互作用,有可能衍生出更为丰富的物理行为。

9-磁性材料与磁电阻效应.ppt 39页

2021年1月21日· 磁性材料广泛地应用于计算机、 通讯、自动化、音像、电视、仪 器和仪表、航空航天、农业、生 物与医疗等技术领域 磁石 磁性材料的分类 ? 按性质分类 : – 金属类磁性材料 :电工钢、镍基合金和稀土合金等 – 非金属类磁性材料 :铁氧体材料 ? 按使用分类 : – 软磁材料、永磁材料和 功能磁性材料 ? 按磁化率大小分类 : – 顺磁性、反磁性、铁

关于负磁导率材料的疑问?

为获得这种负的电容率与磁导率,关键在于如何控制材料的「共振,resonance」。共振就是材料会倾向以特定频率振动,而一般而言电磁波对材料的共振响应会提供正值的电容率

磁电阻材料

已被研究的磁性材料的磁电阻效应可以大致分为:正常磁电阻、各向异性磁电阻、巨磁电阻及庞磁电阻等。 正常磁电阻(ordinary magnetoresistance,OMR)效应普遍存在于所有磁性

绝缘铁磁半导体中因跃迁产生的庞负磁电阻效应

2022年11月15日· 通过分析特定磁场下电阻率的温度变化性,他们证明低温庞负磁电阻效应可以由在磁场作用下局域化长度和迁移率边的演变来描述。 这种机制可能是由 (Ga,Mn) (As,P)薄膜中Mn 原子和P 原子的空间分布的无序性导致,与磁场对安德森局域化的抑制作用有关。 此外,通过详细分析电阻率随温度变化的指数标度,他们也证实了 (Ga,Mn)

时间反演对称破缺-磁性Weyl半金属实验实现

在磁性外尔体系中,时间反演对称破缺由系统磁性确保,并可受外磁场控制,易于通过温度或磁场实现对拓扑态的操控和调制。 而拓扑相关的贝利曲率可以产生强烈的内禀反常霍尔效应(及反常能斯特别有效应),成为拓扑材料中除磁电量子振荡、拓扑表面态费米弧、手性异常负磁电阻等基本拓扑行为之外的重要物性。 而磁有序与拓扑的相互作用,有可能衍生出更为

9-2-磁性材料与磁电阻效应.ppt

2018年4月15日· 9-2-磁性材料与磁电阻效应.ppt,磁性材料 Magnetic Materials 材料的磁性 磁性是物质的一种基本属性 弱磁性:抗磁性、顺磁性 强磁性:铁磁性、亚铁磁性 磁性材料

关于负磁导率材料的疑问?

2020-12-09 通过改变单胞形状、大小和构型,可以改变材料的电容率和磁导率,进而控制电磁波的传输,但这是一种人造光学结构,当电磁波经过特殊设计的共振图形之后,能够诱发相对应的电场与磁场,进而改变电磁波的传播情况。 广义地说,超材料可以指任何合成材料,而这些材料具有不寻常的光学属性和奇异的性质,目前根据超材料的特殊性质而研发

磁性材料期末复习学习资料

反铁磁性:在原子自旋(磁矩)受交换作用而呈现有序排列的磁性材料中,如果相邻原子自旋间是受负的交换作用,自旋为反 平行排列,则磁矩虽处于有序状态(称为序磁性),但总的净磁矩在不受外场作用时仍为零。 这种磁有序状态称为反铁磁性。 磁滞损耗的影响因素:材料的矫顽力 剩余损耗的影响因素:起始磁导率及扩散离子浓度 5.顺磁性和超顺磁性都表

有人对磁阻或巨磁阻有了解嘛?想咨询一下~?

2018年3月15日· 1、正常磁电阻:正常磁电阻效应存在于许多磁性材料中,电阻的增量值近似于正比B平方,B为磁感应强度。 2、各向异性磁电阻(AMR):各向异性磁电阻的大

[安徽日报]二维纳米材料实现最高高负磁电阻效应-中国科大新闻

2014年10月21日. [安徽日报]二维纳米材料实现最高高负磁电阻效应. 日前,中科大谢毅院士团队、吴长征特任教授课题组与曾晓成教授及中科院强磁场中心研究组合作,通过阴离子固溶技术实现目前二维纳米材料中最高高的负磁电阻效应,该现象的发现有可能推动二维

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