2019年8月14日· 可以看到相比于横向磁化, 纵向磁化时吸收峰较深, 同时吸收带宽相对较宽. 对比该图中无偏置磁场的结果, 可以看出磁化明显改善了低频的吸收效果, 所以低偏置磁场下的旋磁性材料可以有效加强低频电磁波的吸收. 2.2. 面内正交磁化的作用
2022年11月30日· 这一结果为设计和开发高性能二维磁性器件开辟了一条新的途径,其优秀的交换偏置特性为二维磁性器件的有效应用提供了机遇。 强磁场中心盛志高研究员和中
巨磁电阻（GMR）效应是指用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象,一般将其定义为gmr=其中（h）为在磁场h作用下材料的 电阻率 （0）指无外磁场作用下材料的电阻率。 根据这一效应开发的小型大容量 计算机硬盘 已得到广泛应用。 磁性金属和合金一般都有磁电阻现象,所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象,人们把这种现象称为磁电阻。 所谓
磁性材料 编辑 播报 实验表明,任何物质在外 磁场 中都能够或多或少地被磁化,只是 磁化 的程度不同。 根据物质在外磁场中表现出的特性,物质可分为五类： 顺磁性 物质, 抗磁性 物质, 铁磁性 物质, 亚铁磁性 物质, 反磁性 物质。 磁性材料的应用——变压器 根据 分子电流假说,物质在磁场中应该表现出大体相似的特性,但在此告诉我们物质在外磁场中的
磁性金属和合金一般都有磁电阻现象,所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象,人们把这种现象称为磁电阻。所谓巨磁阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小,一般减小的幅
2014年8月20日· 直流、50Hz交流150Hz交流三种偏磁情况下的测试结果表明：相同强度的偏置磁场,频率越低对磁芯的磁导率影响越人。
然而,虽经过近20年的紧张研究,目前仍然没有一个适用于磁电随机存储器件的材料系统出现。这样的系统要求在没有任何偏置磁场的情况下,可以在室温下产生相当大的逆磁电耦
有序磁性的磁性材料,又可以分为铁磁性、亚铁磁性、反铁磁性和螺旋磁性物质。 其中,铁磁性和亚铁磁性物质为强磁性物质。 抗磁性、顺磁性物质为弱磁性物质。 根据磁性材料的组分,又可以笼统地分为金属以及合金磁性材料、金属氧化物磁性材料。 此外,还根据其用途还可以分为软磁材料、永磁（又称硬磁）材料、信磁材料（旋磁、磁光等信息存储材
磁致伸缩材料和压电材料复合而成的磁电材料 具有良好的磁电效应['']+磁致伸缩材料的输出应变、 输出位移与外加磁场（包括偏置磁场和激励磁场）存 在非线性关系[%],因此偏置
2023年6月29日· 从莫尔图案到非常规超导：低温强磁场原子力显微镜解密其微观性质. 近年来,莫尔系统已成为二维材料研究领域的一个新前沿,该类材料通常由双层结构晶格之间的轻微错位引起,具有超晶格周期性结构。. 莫尔图案的形成除了各个层之间的轻微晶格常数不匹
直流偏置是指在磁场中加入一个直流电流,使得磁场的方向和大小发生变化。 直流偏置可以改变材料的磁性质,从而影响磁导率的大小。 一般来说,直流偏置会使得材料的磁导率变小,这是因为直流偏置会使得材料的磁化程度发生变化,从而影响磁导率的大小。
与传统的交换偏置效应不同,该结构中的偏置效应的产生不需要复杂的带场降温过程,且其偏置方向可通过外磁场极化方向调控（图3）。该工作为磁性材料中磁结构的精确细调控提供
2020年2月9日· 本文系统地研究了偏置磁场向对磁性光子晶体能带结构的影响. 反转偏置磁场的方向会使得能带结构中宇称相同的能带之间发生交换, 从而使得能带结构中的带序发生
2022年11月30日· 针对这一问题,强磁场中心盛志高课题组经过大量材料筛选与技术探索,最高终发现通过单轴压力技术,可以将具有铁磁基态的二维铁锗碲（Fe 3 GeTe 2 ）材料诱导成为具有铁磁-反铁磁共存的材料同质、磁性异质结构,且发现该结构具有实用级的交换偏置
2020年8月26日· 实现磁化翻转的一个有效途径是通过电场调控交换偏置场,关键是交换偏置场的变化大于矫顽场。 最高近有很多关于电场调控交换偏置场的研究报道,但可恢复的电
进一步研究发现,磁基态中铁磁和反铁磁部分存在相互耦合,产生了明显的交换偏置效应。 与传统的交换偏置效应不同,该结构中的偏置效应的产生不需要复杂的带场降温过程,且其偏置方向可通过外磁场极化方向调控（图3）。 该工作为磁性材料中磁结构的精确细调控提供了一种新的思路,为基于MnBi 4 Te 7 和MnBi 6 Te 10...
由于对外磁场不敏感,反铁磁层在磁性电子器件中是一种基本部件。在反铁磁材料中,磁矩的方向在相邻晶格位置上是相反的,因此整体上没有宏观磁性。 邻近铁磁体的反铁磁体将通过磁的交换力而"钉扎"住了铁磁体的磁矩方向,从而引起磁滞回线偏移的现象,被称为"交换偏置（exchange bias）"。
2020年2月9日· 摘要: 光子晶体中的拓扑相变源自于其能带结构中带隙的打开-闭合-再打开, 其中伴随着能带结构中带序 (或本征态)之间的交换. 本文探讨了偏置磁场方向对磁性光子晶体能带结构的影响, 它在构建拓扑边界态中的作用以及对边界态特性的影响. 结果表明: 反转偏置
2014年10月9日· 文章介绍了磁性材料的交换偏置研究进展情况、交换偏置效应的应用 、交换偏置计算模、交换偏置材料制备手段等方面,展望了在新理 ...,FeF2nF2,由于简单的自旋结构,这些系统适合作在系统中降低了巨磁电阻使得此种结构的磁场灵敏度大为提高,使
抗直流偏置能力：指的是在叠加直流偏置电流(比如CCM模式)的情况下的相对磁导率ui的下降,由此可能导致电感量骤降以及纹波电流的增大、电流环参数的变化、甚至可能有饱和的风险。比如在CCM Boost PFC中存在这个问题。
2008年12月26日· 主要用于高频开关电源的功率铁氧体材料有两大发展趋势,一是向超低功耗方向发展,目前这些材料已经系列化,典型代表如日本TDK公司的PC40、PC44、PC45、PC46、PC47。 其中,PC45
2007年10月30日· 偏置磁场对磁致伸缩/弹性/压电层合材料磁电效应的影响 物理学报. 2008, 57 (11): 7292-7297. doi: 10.7498/aps.57.7292. 偏置磁场对磁致伸缩/弹性/压电层合材料磁
2022年11月30日· 近期要闻 科学岛强磁场团队构筑新型二维磁性同质偏置器件 时间：2022-11-30 作者： 刘财兴 近期,中科院合肥研究院强磁场中心盛志高研究员课题组与中国科学技术大学张振宇教授等人合作,成功研发了一种新型二维同质偏置器件。 与三维同类器件相比,该二维偏置具有无老化、可延长、可恢复等特点,不仅为低维磁性器件设计和交换偏
2012年12月25日· 第30卷第1期011年1月中国材料进展MATERIALSCHINAVol.30No.1Jan.011特约专栏收稿日期:010－1－0基金项目:国家自然科学基金5083007,国家重大研究计划项目009CB9950通信作者:李晓光,男,1960年生,教授,博士生导师磁性材料交换偏置效应研究进展董思宁1,黄晓桦1,,李晓光11．中国科
一般情况下产生负交换偏置场,即磁滞回线的偏离方向与冷却场方向相反,实际上是由场冷过程中铁磁层磁化强度的方向决定的。 但是后来又出现了正交换偏置场,所以人们分别提出模型来统一解释这两种情况。 其中一
本文探讨了偏置磁场方向对磁性光子晶体能带结构的影响, 它在构建拓扑边界态中的 作用以及对边界态特性的影响. 结果表明: 反转偏置磁场方向会导致能量不同但宇称相同的本征态
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